Cynhyrchion

Is-haen Silicon Nitride
video
Is-haen Silicon Nitride

Is-haen Silicon Nitride

Deunydd: Si3N4 Cerameg
Dargludedd Thermol: 85 W / mK
Dwysedd: 3.20 g / cm3
Lliw: Llwyd
Max. Defnyddiwch Tymheredd: 1,200 gradd C.
Anfon ymchwiliad
Cyflwyniad Cynnyrch

Mae Is-haen Silicon Nitride gan UNIPRETEC wedi'i wneud o serameg Si3N4. Er mwyn lleihau llygredd amgylcheddol a chreu economi werdd, mae defnydd effeithlon o drydan wedi dod yn fwy a mwy pwysig, sydd hefyd yn cyflwyno gofynion uwch ar gyfer swbstradau afradu gwres mewn dyfeisiau electronig. Mae anfanteision swbstradau cerameg traddodiadol fel AlN, Al2O3, a BeO y mae mwy a mwy amlwg ohonynt, megis dargludedd thermol damcaniaethol is ac eiddo mecanyddol gwael, wedi rhwystro ei ddatblygiad yn ddifrifol. O'i gymharu â deunyddiau swbstrad ceramig traddodiadol, mae cerameg silicon nitride wedi dod yn ddewis deunydd afradu gwres datblygedig newydd ar gyfer dyfeisiau electronig yn raddol oherwydd ei ddargludedd thermol damcaniaethol rhagorol a'i briodweddau mecanyddol da.

Fodd bynnag, mae dargludedd thermol gwirioneddol plât Si3N4 yn llawer is na'r dargludedd thermol damcaniaethol, ac mae rhai swbstradau cerameg silicon nitrid dargludol thermol uchel (GG gt; 150 W / m · K) yn dal i fod yn y labordy. Mae'r ffactorau sy'n effeithio ar ddargludedd thermol cerameg silicon nitride yn cynnwys ocsigen dellt, cyfnod grisial, a ffiniau grawn. Yn ogystal, gall y trawsnewidiad math grisial a chyfeiriadedd echel grisial hefyd effeithio ar ddargludedd thermol silicon nitride i raddau. Mae sut i gyflawni masgynhyrchu swbstrad cerameg Si3N4 hefyd yn broblem fawr.


Taflen Data Technegol

EITEM

UNED

CS-Si3N4

Dwysedd

g / cm3

GG gt; 3.2

Lliw

-

Llwyd

Amsugno Dŵr

%

0

Warpage

-

GG lt; 2 ‰

Garwder Arwyneb (Ra)

um

0.2 - 0.6

Cryfder Hyblyg

Mpa

GG gt; 800

Dargludedd Thermol (25 ℃)

W/m.K

GG gt; 85

Cyfernod Ehangu Thermol (25 - 300 ℃)

10-6mm / ℃

2.7

Cyfernod Ehangu Thermol (300 - 800 ℃)

10-6mm / ℃

3.2

Max. Tymheredd Gweithio

℃

GG lt; 1,200

Cryfder Dielectrig

KV / ㎜

GG gt; 15

Cyson Dielectrig

1 MHz

8-10

Gwrthiant Trydanol (25 ℃)

Ω · cm

GG gt; 1014

∆ Cynigir y data uchod ar gyfer cyfeirio a chymharu yn unig, bydd yr union ddata yn amrywio yn dibynnu ar y dull gweithgynhyrchu a rhan-ffurfweddiad.


Er mwyn datrys y problemau hyn, mae UNIPRETEC wedi ymrwymo i optimeiddio prosesau paratoi cysylltiedig yn barhaus, ac mae dargludedd thermol gwirioneddol plât nitrid silicon hefyd yn gwella'n barhaus. Er mwyn lleihau cynnwys ocsigen y dellt, yn gyntaf lleihau'r cynnwys ocsigen wrth ddewis deunyddiau crai. Ar y naill law, gellir defnyddio powdr Si sydd â chynnwys ocsigen cymharol fach fel y deunydd cychwyn. Yn drydydd, gall dewis cymhorthion sintro priodol hefyd gynyddu'r dargludedd thermol trwy leihau'r cynnwys ocsigen. Yn ogystal, trwy ychwanegu crisialau hadau a chynyddu'r tymheredd sintro i hyrwyddo trawsnewidiad ffurf grisial, a thrwy gymhwyso maes magnetig i wneud i'r grawn dyfu'n gyfeiriadol, gellir gwella'r dargludedd thermol i raddau. Er mwyn cwrdd â gofynion maint dyfeisiau electronig, mae UNIPRETEC yn defnyddio proses castio tâp i baratoi dalen nitrid silicon, wafer, swbstrad.

Tagiau poblogaidd: swbstrad nitrid silicon, Tsieina, cyflenwyr, gweithgynhyrchwyr, ffatri

(0/10)

clearall